为了弘扬苏州的优秀文化传统,发挥人才优势,推动“科教兴市”战略的实施,激励人们尤其是广大青少年树立远大理想,掌握科学知识,学好本领,更好地为现代化建设服务,创次苏州名人栏目。并借此举,为全市各地提供苏州人才资料库,为扩大、提高苏州的知名度,推进苏州市的改革开放和现代化建设,竭尽绵薄之力。

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    邹世昌 :

    邹世昌,1931年7月27日生于上海。原籍太仓并在城厢小学读书,1952年毕业于唐山交通大学,1958年获莫斯科有色金属学院副博士。现任中科院上海冶金研究所所长、离子束材料改性国际会议国际委员会委员、离子注入技术国际会议国际委员会委员、中国材料学会常务理事。1991年当选为中科院院士。他自信凭中国人的聪明睿智和刻苦勤奋完全可做出优异的成绩,外国再先进再富裕,这是人家的;祖国再穷再落后,这是我们自己的,要竭尽全力改变她,建设科技发达繁荣昌盛的新中国。因此,60年代负责甲种铀分离膜加工成形的国家重点课题,为发展我国的原子工业作出了重要贡献。70年代起,在离子束与固体相互作用以及离子束材料改性、合成、加工和分析等方面进行了系统研究,独创用二氧化碳激光背面辐照获得了离子注入损伤的增强退火效应。用离子注入技术研究成中国第一块120门砷化镓门阵列电路,用反离子束加工成中国第一批闪耀光全息光栅。研究SOI并制成CMOS/&127;SOI电路。发展了离子束增加沉积技术并合成了氮化硅、氮化钛薄膜。他先后发表一百多篇论文。分别获得国家发明奖一等奖、中科院科技进步一等奖和自然科学二等奖等九项奖。1996年获“国家有突出贡献的中青年专家”称号。

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