邹世昌 :

邹世昌，１９３１年７月２７日生于上海。原籍太仓并在城厢小学读书，１９５２年毕业于唐山交通大学,１９５８年获莫斯科有色金属学院副博士。现任中科院上海冶金研究所所长、离子束材料改性国际会议国际委员会委员、离子注入技术国际会议国际委员会委员、中国材料学会常务理事。１９９１年当选为中科院院士。他自信凭中国人的聪明睿智和刻苦勤奋完全可做出优异的成绩，外国再先进再富裕，这是人家的；祖国再穷再落后，这是我们自己的，要竭尽全力改变她，建设科技发达繁荣昌盛的新中国。因此，６０年代负责甲种铀分离膜加工成形的国家重点课题，为发展我国的原子工业作出了重要贡献。７０年代起，在离子束与固体相互作用以及离子束材料改性、合成、加工和分析等方面进行了系统研究，独创用二氧化碳激光背面辐照获得了离子注入损伤的增强退火效应。用离子注入技术研究成中国第一块１２０门砷化镓门阵列电路，用反离子束加工成中国第一批闪耀光全息光栅。研究ＳＯＩ并制成ＣＭＯＳ/&127;ＳＯＩ电路。发展了离子束增加沉积技术并合成了氮化硅、氮化钛薄膜。他先后发表一百多篇论文。分别获得国家发明奖一等奖、中科院科技进步一等奖和自然科学二等奖等九项奖。１９９６年获“国家有突出贡献的中青年专家”称号。